Name: Vishay Siliconix SI7384DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7384DP-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI7384DP-T1-E3

Artikelnummer:

SI7384DP-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Datenblätte:

1.SI7384DP-T1-E3.pdf ···: PCN -Baugruppe/Herkunft
Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014.pdf

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf

Datenblätter
SI7384DP.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI7384DP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7384DP-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® SO-8
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)	1.8W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® SO-8
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Ta)
Grundproduktnummer	SI7384
SI7384DP-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI7384DP-T1-E3 PDF - EN.pdf

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